半導体の清浄表面上への金属原子の吸着の問題は、工学的観点から重要であるだけでなく、基礎理論の観点からも重要である。我々は、前回、１価、２価、３価の金属原子であるNa,Mg,Al原子とSi(111)表面との相互作用ポテンシャルを分子軌道計算(CASSCFおよびMRSDCI計算)により調べた。今回は、前回の計算方法と同様に、３族の元素でAlよりも重いGa,In,Tl原子とSi(111)表面との相互作用について調べ、それらの相互作用の違いを明らかにした。その内容を報告する。

In this study, we will investigate interactions between Si(111) surface and Al Ga, In, and Tl atoms, which are the group III, by molecular orbital calculations (CASSCF and MRSDCI calculations). The calculations reveal that the interaction between Al and the surface and that between Tl and the surface are quite different each other.