M(CH3)3(M=Al,Ga,In)とアンモニアを用いたMOVPE法によるIII-V族窒化物半導体の薄膜結晶成長において、原料III族金属化合物のアルキル基置換による誘起効果等の電子的寄与や置換基の立体障害が寄生反応の反応性に及ぼす影響を議論した。とりわけ、これまで報告した反応機構における反応部配位結合がアルキル基置換によって受ける電子的寄与を領域密度汎関数理論の応用計算により議論し、寄生反応の制御について検討する。

We have been studied the substitute effects of the precursor for the reactivity of parasitic reactions in III-V nitride semiconductor crystal growth by ab initio calculations. In particular, the electronic contribution by the substitution of alkyl groups to the coordinate bond, which controls the reactivity, has been discussed in terms of the regional density functional theory.