Tb棒とSi棒をレーザー蒸発することによりTb-Si混合クラスターを生成し、負イオン光電子分光及び化学吸着実験を行った。得られたTbSi_n^-(n=6-16)の光電子スペクトルの形状と電子親和力の類似性からこれらのクラスターを3つのグループに分類した;(I):n=6-9,(II):n=10,11,(III):n=12-16。さらにH₂O及びCOTに対する反応性がグループ(I)とグループ(II、III)で異なることから、グループ(I)に分類されるクラスターの幾何構造は金属外接型であり、グループ(II、III)では金属内包型構造であることが明らかとなった。当日はTb-Si混合クラスターの電子構造及び他の金属-ケイ素混合クラスターの幾何構造及び電子構造についても発表する予定である。

We investigated the geometric and electronic structures of lanthanoids(Tb)-silicon mixed cluster anions, using photoelectron spectroscopy and a chemical-probe method. TbSi_n^- clusters are categorized roughly into three groups; "group I (n<9)", "group II (n=10 and 11)", and "group III (n>12)". Furthermore, the reactivity of their clusters toward H₂O or COT depends on the group. These results indicate that a Tb atom is located on the surface of the Sin cluster for "group I", whereas it is contained inside the network of the Si cluster for "groups II and III".