正孔輸送材料にTPD，電子輸送・発光材料にAlq3を用いた二層型発光ダイオードの赤外反射的吸収スペクトル測定では，正バイアスを印加するとAlq3のバンド強度が減少し，引き続き逆バイアスを印加するとバンド強度が増加した．この結果は電圧印加により固体中のAlq3分子の配向が変化したことを示している．また，発光ダイオードの発光強度は，正バイアス印加により減少するが逆バイアス印加により回復するので，発光強度は分子配向に依存していることが示唆された．

Infrared reflective absorption spectra of a light-emitting diode fabricated with Alq3 and TPD have been measured. The intensities of the bands due to Alq3 are decreased by applying the forward bias and increased by applying the reverse bias. These results indicate that the orientations of Alq3 molecules in the solid layer are changed by electric field.