水素化ケイ素クラスターの生成機構
東大院工
○戸野倉賢一，村崎哲也，越光男
Abstract
Si2H6の熱分解により水素化ケイ素クラスターの生成機構について、真空紫外レーザー光イオン化飛行時間質量分析法及び反応シミュレーションにより検討した。反応温度の上昇とともに、H2の脱離過程をともなうSinH2n、SinH2n-2の生成の増加が確認された。
Detectionofhydrogenatedsiliconclustersduringthermaldecompositionofdisilaneinaflowreactorwasperformedusingtime-of-flightmassspectrometrycoupledwithvacuumultravioletphotoionizationinatemperaturerangeof298-860K TheSinH2n+2,SinH2n,SinH2n-2,andSinH2n-4containinguptotensiliconatomswereobservedasgas-phaseproductsduringthedisilanepyrolysis