半導体電極では、触媒能や安定性を向上させるため電極表面への金属修飾が行われている。本研究では Cu クラスターの電解析出によって金属修飾された GaAs 電極を用いて、GaAs から Cu への励起直後のキャリヤーダイナミクスをフェムト秒可視光ポンプ-赤外光プローブ法を用いて観測し、金属修飾による電極表面の電子構造変化とキャリヤーダイナミクスの関係について検討した。

Metal deposition at semiconductor surfaces often improves the catalytic properties and stability of the substrate. In the present study, Cu clusters were deposited electrochemically on GaAs electrode. We observed the carrier dynamics at GaAs with and without Cu cluster by means of femtosecond vis-pump IR-probe spectroscopy and provide the information about the primary processes of carrier dynamics with respect to the electronic and geometric structures of electrode surface