93014689.205

ab initio分子軌道法による無電解析出における還元剤酸化反応機構の解析


早大理工

○島田拓哉,玉木亜弥子,中井浩巳,本間敬之,逢坂哲彌



Abstract


無電解析出法は外部電源を使用しない金属薄膜作製プロセスであり,LSIデバイスを始めとする様々な分野に用いられ,工業的に重要な技術である.この反応は固液界面における種々の電子移動を伴う複雑な反応系である.非経験的分子軌道法を用いて,この反応のなかでも重要な還元剤の酸化反応に注目し,素過程レベルからの解析を試みてきた.今回は還元剤にホルムアルデヒド,次亜リン酸,ヒドラジン及びジメチルアミンボランを用いて析出金属表面が還元剤の酸化反応に与える効果についての検討を行った結果を報告する.

The oxidation mechanism of formaldehyde, hypophosphite ion, dimethyl-amine borane, and hydrazine, which act as a reductant for electroless deposition, was studied using ab initio molecular orbital method. In this work, the effect of deposited metal surface was also studied.