アセチレンのSi-Si結合間挿入反応に関する理論的研究
京大院工・九大有基研・倉敷芸科大
○康松潤，近藤吉将，吉澤一成，仲章伸，石川満夫
Abstract
ジシラシクロブテンのSi-Si結合間へのアセチレン挿入反応は理論的に開環反応+Diels-Alder付加で反応が進行すると予想されている。しかし、最近ベンゾジシラシクロブテンとアセチレンとの反応では立体保持で反応が進むことが報告され、別の新しい反応経路の存在が示唆された。そこで今回、Si-Si結合間へ直接アセチレンが挿入される反応経路を提案し、その構造、反応エネルギーなどを理論的に予測した。
A theoretical study has been carried out for the insertion mechanism of acetylene between Si-Si bond using the B3LYP/LanL2DZ method. We proposed a new path of the direct insertion of acetylene between Si-Si bond, and compared that with ring-opening reaction ofdisilacyclobutene, energetically.