パルス幅約20fsの超短パルスレーザー光を用いて、超高真空中での化合物半導体表面の超高速時間分解第２高調波測定を行い、表面・表面領域フォノン振動の実時間観測を行った。GaAs(100)清浄表面ではバルクのLOフォノン成分に加え、表面数原子層に局在したフォノンに帰属される成分が7-8THzに観測され、その振動数が励起光強度に依存して低周波数シフトするのが観測された。

A time domain measurement on surface phonons at semiconductor surface has been done by a time-resolved SHG measurement utilizing a 20 fs ultrashort laser. On GaAs(100), surface phonon component at 7-8THz is observed, and this frequency shows a low frequency shift as increasing the pump power.