我々は固体表面ナノメートル領域の各エネルギー準位におけるキャリアダイナミクスをフェムト秒時間分解で測定できる過渡反射格子スペクトル法を開発してきた。今回は、イオン注入によりアモルファス化したシリコンに本手法を適用し、様々な種類の欠陥のうち、どの欠陥が超高速時間領域でキャリアトラップに寄与しているのかを調べた。

We have developed femtosecond time-resolved Transient Reflecting Grating Spectroscopy. This measurement gives direct information on carrier dynamics at each energy state in the nanometer region of solid surfaces. This time,we studied the relation between various kinds of defects and ultrafast carrier dynamics in the amorphous silicon by using this method.