92958995.584

グラファイト単一層の電子状態における水素終端効果


総研大・横浜市大

○猪野大輔,木下郁雄,長田かおる,渡邊一也,高木紀明,松本吉泰



Abstract


金属表面に形成したグラファイト単一層のエッジを水素終端し、グラファイト単一層の占有及び非占有状態がどのような影響を受けるかを、紫外及び多光子光電子分光により観測した。Pt(111)清浄表面にグラファイト単一層を形成すると、多光子光電子スペクトルにおいてその被覆率に強く依存したピークが観測された。この表面に水素原子を暴露し、エッジを水素終端すると、このピーク強度が著しく減少することを見いだした。したがって、このピークに由来する占有状態は、グラファイトアイランドのエッジの水素終端に極めて敏感であることがわかった。

The electronic excited states of monolayer graphite on metal surfaces were investigated by UPS and three-photon photoelectron spectroscopy(3PPE). New peaks strongly depending on graphite coverage appear in 3PPE spectra taken from a Pt(111) surface covered with single-layer graphite. One of them is significantly quenched by terminating edges of graphite with D atoms. It clearly indicates that the excited state responsible for the peak is strongly perturbed by the D-termination.