SiO+の32Σ+状態の電子構造
大分大
○本城信光
Abstract
SiO+の32Σ+励起電子状態の電子構造の知見を得る目的で非経験的計算をおこなった。得た結果から、この状態の分光定数値を求めるうえでは、電子相関の効果の取り入れが重要であることがわかった。この励起状態における相関エネルギーへの電子励起の寄与を分析した。
The electronic structure of the 32Σ+ state of SiO+ is studied by means of ab initio quantum-mechanical calculations. It is found from the present results that the electron correlation effect is important in determining its spectroscopic constant values. We analyzed the contributions of electron excitations to the correlation energy for this excited state.