93035927.517

イミノニトロキシドラジカルを配位子として用いた金属錯体


電通大量子物質

○伊瀬智章,石田尚行,野上隆



Abstract


分子性磁性体構築の戦略として金属-ラジカル錯体は有力である。スピン間の相互作用を強めるためにはなるべく小さな配位子を選択することが重要と考えた。α-ヒドロイミノニトロキシドラジカル(HIN)は配位子の有力な候補であるが配位子だけの単離はできない。今回、Cd(HIN)4Cl2錯体の形で初めてHINの構造と磁性を明らかにした。Cu(HIN)2Br2、Co(HIN)2Cl2、Co(HIN)2Br2も合成したので、これらの磁性を報告する。

The metal-radical approach is a promissing strategy for molecule-based magnetic materials. We chose alpha-hydroiminonitroxide (HIN) asa ligand, which is the smallest derivative in the imino/nitronyl-nitroxide family. We obtained complexes ofHIN with CdCl2, CuBr2,. CoCl2, and CoBr2 with the metal/ligand ratios of 1:4, 1:2, 1:2, and 1:2, respectively. We will report thier magnetic properties.