金属あるいは半導体電極表面に金属を電気化学的に析出した場合、界面の電子構造は最初の数層の析出に伴い、ダイナミックに変化する。固／液界面におけるこのような変化をその場観測可能な光第二高調波発生法により追跡した。金表面へのパラジウムの析出では、Pd第一層目でdバンドの位置がシフトすることによる信号変化が明確に現れ、一方GaAs表面へのCuの析出では、Cu微結晶のプラズモン共鳴が観測され、それぞれ界面電子構造の理解に有益な知見を得ることができた。

Electrodeposition of only a few atomic layer of foreign metal on metal or semiconductor electrode causes the dynamic change of the interfacial electronic structure. We were able to detect such an interfacial electronic structural change in situ by using optical second harmonic generation (SHG) technique.