要旨

TiNラジカルのA2PAIr‐X2SIGUMA+遷移のレーザー誘起分散蛍光スペクトルの相対強度を測定し、RKRポテンシャルに基づいて解析をおこなった結果、この遷移の電子遷移モーメントRe(R)の核間距離R依存性をRe(R)∝{1‐0 482(29)R/Å}と決定した。この結果に基づき、TiNラジカルの電子構造解析を以下の様におこなった。Re(R)の他にX2SIGUMA+状態から得られるフェルミ接触項、双極子パラメーターとA2PAIr状態から得られるスピン軌道相互作用定数を連立させて解析することにより、TiNラジカルの9siguma軌道における4ｓ(Ti)、4ｐ(Ti)原子軌道および4pai軌道における4ｓ(Ti)、3ｄ(Ti)原子軌道の割合がRによってどのように変化するかを議論した。

ABSTRACT

This work was concerned on the high resolution spectroscopy of the TiN radical. The laser−induced dispersed fluorescence (DF) spectra of the A2PAIr−X2SIGUMA+ transition of TiN were observed. The relative intensity of the DF spectra was analyzed by use of the RKR potentials to determine the R−dependence of Re(R) as Re(R)∝{1−0 482(29)R/Å}. The electronic structure of the relevant states were analyzed asfollows;The Fermi contact term,dipolar parameter for the X2SIGUMA+sate,spin-orbit interaction constant for the A2PAIr state and Re(R) were analyzed simultaneously to evaluate the R−dependences of the 4s(Ti) and 4p(Ti) atomic characters in 9 siguma orbital and 4p(Ti) and 3d(Ti) atomic characters in 4 pai orbital of the TiN radical.